실리콘 카바이드 (SIC)로드는 고유 한 물리적 및 화학적 특성으로 인해 다양한 산업에서 상당한 관심을 끌었습니다. 이 중에서, 그들의 자기 특성은 특정 응용 분야에 특히 관심이 있습니다. SIC로드의 주요 공급 업체로서, 우리는 이러한 제품의 특성에 정통하며 자기 행동에 대한 자세한 통찰력을 제공 할 수 있습니다.
SIC와 그 구조에 대한 기본적인 이해
실리콘 카바이드는 실리콘과 탄소로 구성된 화합물입니다. 그것은 폴리 유형으로 알려진 다양한 결정질 형태로 존재합니다. 가장 일반적인 폴리 유형은 3C (입방), 4H (육각형) 및 6H (육각형)입니다. 각각의 폴리 유형은 뚜렷한 원자 배열을 가지고 있으며, 이는 자기 특성을 포함하여 그 물리적 특성에 영향을 미칩니다.
SIC의 기본 구조는 각 실리콘 원자가 4 개의 탄소 원자로 둘러싸인 사면체 배열로 구성되며, 그 반대도 마찬가지입니다. 실리콘과 탄소 사이의 이러한 강력한 공유 결합은 SIC에 높은 경도, 열 안정성 및 화학 저항을 제공합니다.
SIC 막대의 자기 특성
diamagnetism
일반적으로 순수한 실리콘 카바이드는 디아마그네틱합니다. Diamagnetism은 모든 재료가 어느 정도 전시 한 재산이지만 일반적으로 매우 약합니다. 디아마그성 물질이 외부 자기장에 배치되면, 적용된 필드와 반대 방향으로 유도 자기장을 생성합니다. 이것은 자기장으로부터 약한 반발을 초래한다.
SIC의 동성애 거동은 실리콘과 탄소 원자 사이의 공유 결합에서 전자의 운동에 기인 할 수있다. 외부 자기장이 적용되면 전자의 궤도가 교란하여 재료의 자기 모멘트가 변화합니다. 유도 된 자기 모멘트는 적용된 자기장에 비례하고 반대 방향으로, 관찰 된 디아마그네틱 효과를 초래한다.
SIC의 동성애 감수성은 일반적으로 -10 ~ -10 (Si 단위)의 순서에 비해 작습니다. 이것은 자기장에서 SIC 막대에 가해지는 반발력이 상당히 약하며 대부분의 실제 응용 분야에서 무시할 수 있음을 의미합니다.
불순물 및 결함의 영향
순수한 SIC는 디아마그네틱이지만, 불순물 또는 결함의 존재는 자기 특성을 상당히 변화시킬 수있다. 예를 들어, 철 (FE), 코발트 (CO) 또는 니켈 (NI)과 같은 전이 금속 불순물의 도입은 상자성 또는 심지어 강자성 행동을 도입 할 수 있습니다.
상자성 재료는 짝을 이루지 않은 전자를 갖는데, 이는 외부 자기장과 정렬되어 적용된 필드의 방향으로 순 자기 모멘트를 초래합니다. 전이 금속 불순물이 SIC에 존재하면, 짝을 이루지 않은 전자를 제공하여 상자성 거동을 초래할 수 있습니다. 상자성의 정도는 불순물의 농도와 유형에 달려 있습니다.
어떤 경우에는 불순물 농도가 충분히 높고 불순물이 특정한 방식으로 배열되면, 강자성 거동이 관찰 될 수 있습니다. 강자성 물질은 외부 자기장이없는 경우에도 자발적 자화를 갖고 자석에 강하게 끌 수 있습니다. 그러나, SIC에서 강자성 거동을 달성하려면 일반적으로 불순물 농도 및 분포를 신중하게 제어해야한다.
공석, 탈구 또는 스태킹 결함과 같은 SIC 결정 구조의 결함은 자기 특성에도 영향을 줄 수 있습니다. 이러한 결함은 자기 모멘트에 기여할 수있는 국부 전자 상태를 만들 수 있습니다. 예를 들어, SIC의 탄소 공석은 짝을 이루지 않은 전자의 형성으로 이어질 수 있으며, 이는 상자성 거동을 초래할 수있다.
SIC 막대의 자기 특성과 관련된 응용
자기 차폐
약한 diamagnetic 거동에도 불구하고, SIC 막대는 자기 차폐가 필요한 특정 응용 분야에서 사용될 수 있습니다. 소량의 자기장 간섭을 줄여야하는 환경에서, SIC로드는 특정 구성으로 배열되어 디아마그성 방패를 생성 할 수 있습니다. diamagnetic siC의 약한 반발은 자기장 선을 편향시키는 데 도움이 될 수 있으며, 제한된 수준의 차폐를 제공합니다.
자기 센서 애플리케이션
SIC로드의 불순물 또는 결함으로 인한 자기 특성의 변화는 자기 센서 응용 분야에서 이용 될 수 있습니다. 예를 들어, 상자성 불순물이있는 SIC 막대는 자기장 센서로 사용될 수 있습니다. 막대가 자기장에 노출 될 때, 불순물에서 짝을 이루지 않은 전자의 정렬은 변화하여 전기 저항 또는로드의 다른 측정 가능한 특성의 변화를 초래한다. 이 변화는 감지되어 자기장의 강도와 방향을 측정하는 데 사용될 수 있습니다.
우리의 SIC로드 제품
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참조
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